碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs)的晶体结构及其半导体性质的研究
Crystal Structures and Semiconductor Properties of Alkline Metal Selenides MHgSbSe_3(M = K,Rb,Cs)作者机构：福建师范大学实验中心福州350007 清华大学分析中心北京100084
出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)
年 卷 期：2000年第58卷第3期
页 面：326-331页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：用有机溶剂热生长技术(Solvthermal Technique)制备碱金属硒化物MHgSbSe_3(M=K,Rb,Cs),用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.热分析结果表明,在常温(200℃)下均为稳定的化合物.光学性质测试表明它们是半导体材料,KHgSbSe_3,RbHgSbSe_3,CsHgSbSe_3的禁带宽度依次为1.85eV,1.75eV,1.65eV.
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