转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响

作     者：邝海 刘军林 程海英 江风益 Kuang Hai;Liu Junlin;Cheng Haiying;Jiang Fengyi

作者机构：南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心江西南昌330047 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2008年第28卷第1期

页      面：143-145页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 08[工学] 081001[工学-通信与信息系统] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家863计划纳米专项(2003AA302160) 国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题 

主　　题：光学材料 Si衬底 加速老化 铜基板 硅基板 

摘      要：在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。