GaN基倒装焊LED芯片的光提取效率模拟与分析

作     者：钟广明 杜晓晴 田健 ZHONG Guang-ming;DU Xiao-qing;TIAN Jian

作者机构：重庆大学光电工程学院重庆400044 重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室重庆400044 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2011年第32卷第8期

页      面：773-778页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：中央高校科研业务费(CDJZR10120014 CDJXS11120021)资助项目 

主　　题：GaN基倒装LED 光提取效率 光线追踪 双面粗化 AlN缓冲层 

摘      要：采用蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸作了进一步选取与优化。研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底和引入AlN缓冲层均有利于LED光提取效率的提高;蓝宝石衬底双面粗化对提高光提取效率的效果要明显好于单面粗化;表面粗化的结构和尺寸对光提取效率有较大影响,当微元特征尺寸与微元间距相当时,光提取效率较高。