基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计

作     者：沈宏昌 沈亚 潘晓枫 徐波 李思其 曲俊达 韩群飞 SHEN Hongchang;SHEN Ya;PAN Xiaofeng;XU Bo;LI Siqi;QU Junda;HAN Qunfei

作者机构：南京电子器件研究所南京210000 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第2期

页      面：115-118页

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：单平衡 GaAs 模拟移相器 矢量调制器 

摘      要：在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法。通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积。最终,本文采用0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器。实测结果表明:在21~23GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20dB,插入损耗小于11.2dB。