热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究

作     者：刘国汉 丁毅 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 Liu Guohan;Ding Yi;Zhu Xiuhong;He Bin;Chen Guanghua;He Deyan

作者机构：兰州大学物理科学与技术学院 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室北京100022 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2006年第27卷第10期

页      面：986-989页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(G000028201) 甘肃省自然科学基金项目(3ZS051-A25-052) 

主　　题：电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应 

摘      要：为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。