铁氰酸镍复合修饰电极的电化学行为及其电催化研究

作     者：李占双 王君 王祥平 LI Zhan-shuang;WANG Jun;WANG Xiang-ping

作者机构：哈尔滨工程大学化工学院黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《哈尔滨工程大学学报》 (Journal of Harbin Engineering University)

年 卷 期：2006年第27卷第1期

页      面：153-156页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070302[理学-分析化学] 0703[理学-化学] 

基　　金：哈尔滨市科学研究基金资助项目(2004AFQXJ038) 

主　　题：化学修饰电极 铁氰酸镍 催化氧化 化学沉积 生物传感器 

摘      要：利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极,研究了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极作为安培型L—半胱氨酸传感器的电化学行为.NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0.1^+0.7 V电位窗内,半波电位(E1/2)为+0.393 V的可逆氧化还原波为[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4-电对;在扫速小于100 mV/s时,阳极峰电流与扫速成很好的线性关系;当扫速大于120 mV/s时,阳极峰电流却与扫速平方根成正比,电极反应被扩散过程所控制;NiHCF修饰电极催化L—半胱氨酸结果表明NiHCF的引入明显降低了催化氧化电位;实验结果表明L—半胱氨酸在1×10-5~2×10-2mol/L内,电流响应性与浓度成很好的线性关系,电极的检测限为2.6×10-6mol/***/石墨粉/MTMOS复合修饰电极制备方法简单,电极稳定性高,表面可以更新,为三维复合电极在电催化中的应用和研究提供了新的方法.