半导体激光器同轴封装的高频影响:分析与实验

作     者：张尚剑 刘超 陈诚 伞海生 谢亮 祝宁华 Zhang Shangjian;Liu Chao;Chen Cheng;San Haisheng;XIE Liang;ZHU Ninghua

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2005年第25卷第9期

页      面：1214-1218页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家863计划基金(2004AA31G220) 国家973计划基金(G20000036601) 国家杰出青年基金(69825109)资助课题 

主　　题：激光器 半导体激光器 同轴封装 散射参量 

摘      要：在高频调制下,封装对半导体激光器的影响非常显著。通过分析封装前后激光器散射参量之间的关系,推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法:预测法和评价法,从而提供了分析激光器封装的另外两种等价方法。实验中,对同轴(TO)封装的高频特性进行了测试和分析,分析结果与传统比较法的测试结果吻合表明新方法有效。实验表明在10.2 GHz以内同轴封装不会降低半导体激光器的频响带宽,即同轴封装的带宽可达10 GHz,且发现同轴封装中电感和电容元件之间的谐振效应对器件的频响具有补偿作用。两方法可为筛选光电子器件封装提供依据,并为优化封装的设计提供参考。