电场调控Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结阻变与磁性研究

作     者：胡诚 张婷婷 来国红 邱达 张昌华 朱永丹 HU Cheng;ZHANG Ting-ting;LAI Guo-hong;QIU Da;ZHANG Chang-hua;ZHU Yong-dan

作者机构：湖北民族学院理学院恩施445000 武汉大学物理学院武汉430072 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2016年第45卷第6期

页      面：1596-1601页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(51372174 11364018 11504101) 湖北省自然科学基金(2014CFB610 2015CFC784) 湖北省优秀中青年科技创新团队(T201429) 

主　　题：脉冲激光沉积 Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO3异质结 阻变 氧空位 磁性 

摘      要：利用脉冲激光沉积法在0.7%Nb∶SrTiO_3衬底上制备了Co∶ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结器件。该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控。结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控。