不同调制波长Cu/Ag多层膜硬度分析

作     者：曹轲 任凤章 苏娟华 赵士阳 田保红 Cao Ke;Ren Fengzhang;Su Juanhua;Zhao Shiyang;Tian Baohong

作者机构：河南科技大学河南洛阳471003 河南省有色金属材料科学与加工技术重点实验室河南洛阳471003 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2011年第40卷第12期

页      面：2152-2155页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(50771042) 河南省基础与前沿技术研究计划(092300410064) 河南省科技创新人才计划(104100510005) 河南省高校科技创新人才支持计划(2009HASTIT023) 

主　　题：Cu/Ag多层膜:Hall—Petch关系 位错塞积模型 位错稳定性 

摘      要：用直流电沉积双槽法在纯铜基体上制备了不同调制波长的Cu/Ag多层膜,研究了多层膜硬度与调制波长之间的关系。实验结果表明,当调制波长位于600～300nm时,Cu/Ag多层膜的硬度与调制波长之间较好地符合基于位错塞积模型的Hall-Petch关系;当调制波长小于300nm时,硬度与调制波长的关系偏离了Hall-Petch关系。由实验结果分析得出了Cu/Ag多层膜的位错稳定存在极限晶粒尺寸约为25nm,与基于程开甲等人的位错稳定性理论得出的Ag晶体极限晶粒尺寸27nm接近,验证了程开甲等人的位错稳定性理论。