石墨烯的化学气相沉积法制备
Preparation of graphene by chemical vapor deposition作者机构:中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室辽宁沈阳110016
出 版 物:《新型炭材料》 (New Carbon Materials)
年 卷 期:2011年第26卷第1期
页 面:71-80页
核心收录:
学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
基 金:国家自然科学基金(50872136 50972147 50921004) 中国科学院知识创新项目(KJCX2-YW-231)
摘 要:化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。