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石墨烯的化学气相沉积法制备

Preparation of graphene by chemical vapor deposition

作     者:任文才 高力波 马来鹏 成会明 REN Wen-cai;GAO Li-bo;MA Lai-peng;CHENG Hui-ming

作者机构:中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室辽宁沈阳110016 

出 版 物:《新型炭材料》 (New Carbon Materials)

年 卷 期:2011年第26卷第1期

页      面:71-80页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:国家自然科学基金(50872136 50972147 50921004) 中国科学院知识创新项目(KJCX2-YW-231) 

主  题:石墨烯 制备 化学气相沉积法 转移 

摘      要:化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。

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