SIMS对氘靶钛膜中氘的分布研究
STUDY ON DEUTERIUM DISTRIBUTION IN DEUTERIUM-TITANIUM TARGET BY SIMS作者机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)
年 卷 期：1996年第30卷第1期
页 面：65-68页
核心收录：
学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术]
摘 要：用负的ＳＩＭＳ分析技术进行Ｈ同位素相对含量随Ｔｉ膜深度变化的分析，获得了氘随膜深度变化的分布曲线。在接近膜表面的一个深度范围内，除有明显的Ｏ－、ＣＯ－和很微弱的ＯＨ－、ＯＤ－及ＣＨＯ－峰谱外，还有很大的Ｄ－二次离子质谱峰，氘的丰度估计约为９８％。在靶膜内部，氘的丰度达９９％以上。在接近膜与底衬交界面的地方，Ｄ－谱峰很小，Ｏ－谱峰为痕迹量。文章对分析结果进行了讨论。
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