UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究
Study of Strain in Si_(1-x-y) Ge_x C_y Alloys Grown by Ultra-high Vacuum/Chemical Vapor Depostion作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027
出 版 物：《真空科学与技术》 (Vacuum Science and Technology)
年 卷 期：2001年第21卷第3期
页 面：214-216页
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学重大基金项目! (6 9890 2 30 ) 国家自然科学基金资助项目! (6 96 86 0 0 2 )
主 题：超高真空化学气相沉积 应变 锗硅碳三元合金 外延生长
摘 要：用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明显缓解了宏观上的应变 ,但在合金中仍存在着微观应变。
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