S波段六位高精度移相器设计
Design of the S band 6 bits high precision phase shifter作者机构：西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：2014年第41卷第2期
页 面：125-129页
核心收录：
学科分类：1305[艺术学-设计学（可授艺术学、工学学位）] 13[艺术学] 08[工学] 080203[工学-机械设计及理论] 081304[工学-建筑技术科学] 0802[工学-机械工程] 0813[工学-建筑学] 080201[工学-机械制造及其自动化]
基 金：陕西省自然科学基础研究资助项目(2010JM8015)
主 题：高电子迁移率晶体管 数字移相器 高低通 相位精度 级联散射抑制
摘 要：采用0．25μmGaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）7-艺设计了一款六位S波段数字移相器．移相器采用高低通和全通网络结构，运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法．移相器在0°～360°相位范围内以5．625°步进，在2．1～2．7GHz频率范围内，最小相位均方根误差仅为1．13°．频带范围内插入损耗小于6．3dB，幅度均衡小于0．4dB，输入输出反射系数小于一10dB．
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