晶振芯片在高g值冲击下的失效机理分析
Failure mechanism of crystal oscillator under high-g shock作者机构：仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学电子工程系太原030051
出 版 物：《仪器仪表学报》 (Chinese Journal of Scientific Instrument)
年 卷 期：2006年第27卷第z3期
页 面：2589-2590页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程]
摘 要：芯片是弹载存储测试系统的最基本的单元,它的抗强冲击能力直接影响测试系统的可靠性。为了研究芯片抗高过载能力,本实验利用Hopkinson杆对最典型的晶振芯片进行高g值冲击,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。对实验现象进行理论分析后得出:与应力波传播方向平行放置的芯片抗冲击性能要高于与应力波传播方向垂直的芯片。
维普期刊数据库
同方期刊数据库