ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究

作     者：饶平根 杨以文 严松浩 陈楷 樊海芳 Rao Pinggen;Yang Yiwen;Yan Songhao;Chen Kai;Fan Haifang (Institute of Materials Science and Engineering, South China University of Technology Guangzhou510641 China)

作者机构：广州华南理工大学材料所 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：1996年第11卷第2期

页      面：253-258页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：广东省自然科学基金 

主　　题：氮化硅 氧化锆 氮化锆 氧化 复合陶瓷 

摘      要：研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．