宽带功率放大器的设计

作     者：龚敏强 刘光祜 GONG Minqiang;LIU Guanghu

作者机构：电子科技大学电子工程学院四川成都610054 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2009年第32卷第11期

页      面：104-106页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：功率放大器 宽频带 有耗匹配 ADS LDMOS 

摘      要：介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计,频率范围从700 MHz^1.1 GHz。前级放大器采用MMIC PowerAmplifier HMC481MP86,末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配,采用ADS的负载牵引法得到LD-MOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值,然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计,并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化。