基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器

作     者：周静涛 金智 苏永波 史敬元 丁武昌 张大勇 杨枫 刘桐 ZHOU Jingtao;JIN Zhi;SU Yongbo;SHI Jingyuan;DING Wuchang;ZHANG Dayong;YANG Feng;LIU Tong

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2025年第23卷第1期

页      面：40-43页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：太赫兹检测器 肖特基二极管(SBDs) T型结 无衬底单台面 

摘      要：InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件,器件的截止频率为9.5THz。基于新型结构的InP/InGaAs肖特基器件技术,研制了220~330GHz、30~500GHz、400~600 GHz和500~750 GHz等多频段的太赫兹探测器模块。其中220~330 GHz频段太赫兹检测器模块与美国VDI公司的同频段检测器模块相比,检测灵敏度等指标相近。该器件在太赫兹安检成像应用中具有很好的应用前景。