Cu/MgO/MoS_(2)/Cu结构的电阻开关特性

作     者：何小龙 陈鹏 HE Xiaolong;CHEN Peng

作者机构：西南大学物理科学与技术学院重庆400715 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2025年第74卷第2期

页      面：256-264页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

主　　题：电阻开关特性 界面势垒 开关比 

摘      要：采用磁控溅射的方法制备了Cu/MgO/Cu,Cu/MgO/MoS_(2)/Cu和Cu/MoS_(2)/MgO/Cu三种器件.通过对器件的表征测试及I-V曲线的测量,发现对于Cu/MgO/Cu器件,加入MoS_(2)插入层后,器件的电阻开关特性会发生大的变化.分析结果表明,MoS_(2)插入层并没有改变器件的主要传导机制(空间电荷限制传导),但影响了界面势垒的调控作用,这种影响还与MoS_(2)插入层的位置有关.Cu/MgO/Cu,Cu/MgO/MoS_(2)/Cu和Cu/MoS_(2)/MgO/Cu三种器件中,Cu/MgO/MoS_(2)/Cu器件表现出更大的开关比(约为103)和更低的复位电压(约为0.21 V),这可以归因于MgO与MoS_(2)之间界面势垒的调控.而Cu/MoS_(2)/MgO/Cu器件表现出较好的可靠性和稳定性.此外,MoS_(2)层在插入到底电极Cu和MgO之间时,器件的漏电流有明显的降低.