电子封装铜键合丝的研究进展

作     者：谢道春 甘贵生 马勇冲 李方樑 朱俊雄 窦俊丰 张嘉俊 夏大权 徐向涛 

作者机构：重庆理工大学重庆特种焊接材料与技术高校工程技术研究中心 重庆平伟实业股份有限公司 

出 版 物：《中国有色金属学报》 (The Chinese Journal of Nonferrous Metals)

年 卷 期：2025年

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(62274020) 重庆市教委科技项目重点、重大项目(KJZD-K202101101,KJZD-M202301102) 重庆市技术创新与应用发展重大专项(CSTB2024TIAD-STX0011) 

主　　题：电子封装 铜键合丝 双金属 高电流密度 可靠性 

摘      要：无论是先进封装还是功率封装，高电流密度和更高服役温度将是电子封装的主旋律。本文综述了当前主流的纯铜、铜合金及镀钯铜键合丝，提出利用金、银固有的键合优势开发金包铜、银包铜新型双金属或多金属键合丝材料，利用键合丝进给系统辅热在软化键合丝的同时降低键合的下压力，开发飞秒激光-热声键合新装备实现键合丝快速、微区加热降低铜键合丝氧化和硬度，强化大电流、高温及多物理场等极端条件下铜键合丝电迁移、热迁移可靠性研究，指出键合丝是集成电路等半导体封装的关键性材料，低成本、高导热的铜键合丝具有明显的优势，势必继续抢占键合丝的市场份额，需多方协同推动国产化铜键合丝的研究与应用。