新型透明导电SnO2:W/Ag/SnO2:W薄膜的制备及其性能研究
作者机构：贵州民族大学物理与机电工程学院 成都大学电子信息与电气工程学院 成都高新发展股份有限公司 贵州民族大学材料科学与工程学院
出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)
年 卷 期：2025年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(62064001) 贵州省科学技术基金(黔科合基础-ZK 238) 贵阳市科技计划基金(筑科合同 43-2号) 贵州省优秀青年科技人才计划(黔科合平台人才-YQK018) 贵州省教育厅青年科技人才成长项目(黔教合KY字131)
主 题：磁控溅射 钨掺杂氧化锡薄膜 氧化物/金属/氧化物 钨掺杂含量
摘 要：为了制备出适用于柔性透明电子器件的电极,结合氧化物/金属/氧化物（OMO）结构薄膜和高价态掺钨（W）氧化锡薄膜（SnO2:W）的优点,基于磁控溅射法室温制备不含铟的新型透明导电多层膜—SnO2:W/Ag/SnO2:W,并研究了W掺杂含量对SnO2:W/Ag/SnO2:W多层膜光学和电学性能的影响.结果表明,随着SnO2:W薄膜中W掺杂含量由0 at.%增加至13.74 at.%,SnO2:W薄膜的电子载流子浓度增加,多层膜的面电阻由14.5Ω/sq减小至4.7Ω/sq;而其在可见光范围内的平均透过率随W掺杂含量的增加却呈现出先增大后减小的趋势.最终,基于W含量的优化,在室温下制备出具备优良光学与电学性能的SnO2:W/Ag/SnO2:W薄膜（W掺杂含量为5.57 at.%）,其在可见光范围内的平均透过率高达81%,面电阻仅为5.8Ω/sq,且呈现出优异的弯曲应力稳定性（曲率半径大于等于4 mm时弯折10,000次）.
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