氧化镓雪崩光电探测器的研究进展

作     者：邵双尧 杨烁 冯华钰 贾志泰 陶绪堂 SHAO Shuangyao;YANG Shuo;FENG Huayu;JIA Zhitai;TAO Xutang

作者机构：山东大学集成电路学院 山东大学晶体材料国家重点实验室 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2025年第54卷第2期

页      面：276-289页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(62304118 51932004 11804191) 

主　　题：雪崩光电探测器 紫外探测 宽禁带半导体 氧化镓 雪崩增益 

摘      要：微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器（APD）具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点，是紫外探测领域的重要研究方向。近年来，宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高和化学稳定性好等性能，被视为紫外APD设计的理想材料。从现有报道来看，相比于GaN和SiC材料，Ga2O3具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的巴利加优值和更短的吸收截止边等突出优点，是一类值得关注的新材料。Ga2O3基APD以超宽带隙、高击穿电场、可控增益、优异热稳定性等优势，具有高响应度和高内部增益等性能，正在成为该领域的热点。本文综述了Ga2O3基APD的研究进展，分别对APD的器件结构、性能、发展历程与研究改进等进行介绍。