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Al/Ga共掺杂ZnO透明导电薄膜的正交优化

ORTHOGONAL OPTIMIZATION OF Al/Ga CO-DOPED ZnO TRANSPATENT CONDUCTING THIN FILM

作     者:马洪芳 马芳 刘志宝 王小蕊 孙华 张长存 Ma Hongfang;Ma Fang;Liu Zhibao;Wang Xiaorui;Sun Hua;Zhang Changcun

作者机构:山东建筑大学材料科学与工程学院济南250101 教育部省部共建可再生能源建筑利用技术重点实验室济南250101 山东省化工研究院济南250014 

出 版 物:《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期:2015年第36卷第7期

页      面:1550-1555页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(51275279) 山东省科技发展计划(2010G0020318) 山东省自然科学基金(ZR2010EM062) 济南市高校自主创新计划(201401233) 山东省教育厅科技计划(J12LA12) 

主  题:溶胶-凝胶法 正交试验 共掺杂 GAZO薄膜 光电性能 

摘      要:利用正交试验,对溶胶-凝胶法(sol-gel)制备Al/Ga共掺杂Zn O透明导电薄膜(GAZO)的工艺进行优化,研究溶胶浓度、掺杂配比、热处理温度、薄膜厚度等因素对薄膜光电性能的影响规律。分别以薄膜的透光率和电阻率作为评价指标,确定制备GAZO薄膜的最佳工艺参数。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、可见分光光度计和双电测四探针电阻率测试仪分别分析薄膜的结构、表面形貌以及光电性能等。结果表明:Al和Ga的掺入未影响Zn O的晶体结构,也未生成其他杂质氧化物。最佳工艺条件下,薄膜在可见光范围内的透过率为88.458%,电阻率为2.66×10^(-3)Ω·cm。

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