铌酸镁的合成与铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷性能关系研究

作     者：温保松 严鸿萍 马佳华 WEN Bao-Song;YAN Hong-Ping;MA Jia-Hua

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：1999年第14卷第6期

页      面：945-950页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家"863"高技术项目 

主　　题：铌酸镁 合成 电致伸缩 陶瓷 性能 铌镁酸铝基 

摘      要：研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应，结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少．首先合成MgNb2O6，但合成时并不加入过量MgO，合成温度为1050℃，由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷．在X射线衍射检测极限内，并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相．对该陶瓷施加1kV／mm频率为0．07Hz的准静态电场，在室温下其纵向电致应变（S11）达1．05×10－3而滞后仅为6．8％．还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系，它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高，从而引起介电常数的下降和滞后增大．