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SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)复合铁电薄膜的制备与特性研究

Preparation and characterization of SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12) multiple thin films on p-Si substrate

作     者:王华 任明放 Wang Hua;Ren Ming-Fang

作者机构:桂林电子科技大学信息材料科学与工程系桂林541004 

出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期:2007年第56卷第12期

页      面:7315-7319页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(批准号:50262001)资助的课题.~~ 

主  题:SrBi2Ta2O9 Bi4Ti3O12 复合铁电薄膜 溶胶凝胶工艺 

摘      要:采用溶胶凝胶工艺在p-Si衬底上制备了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜.研究了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的微观结构与生长行为、铁电性能和疲劳特性.研究表明:Si衬底Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴择优生长,并有利于SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的生长.合理的SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比能获得较好的铁电性能和优良的抗疲劳特性,SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比为1∶3的复合薄膜的剩余极化强度和矫顽电场分别为8.1μC/cm2和130kV/cm,其无疲劳极化开关次数达1011以上.

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