基于乙烯的化学气相沉积法制备少层石墨烯

作     者：任文杰 朱永 龚天诚 王宁 张洁 REN Wenjie;ZHU Yong;GONG Tiancheng;WANG Ning;ZHANG Jie

作者机构：重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2015年第46卷第16期

页      面：16115-16118页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61376121) 中央高校资助项目(106112013CDJZR120008 125502 120003) 

主　　题：石墨烯 化学气相沉积 乙烯 Cu 

摘      要：采用乙烯作为碳源,利用化学气相沉积法(CVD法),在1 000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯;采用不引入PMMA和PDMS等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si/SiO2基底上,对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明,减小乙烯的进气量可以提高石墨烯的质量;减少反应时间可以降低无定形碳的含量;增加退火时间可以提高Cu表面结晶质量,更加有利于石墨烯的生长。通过优化各项参数,使用乙烯已经可以制备I2D/IG=0.88的少层石墨烯。