侧向选区异质外延绝缘体上硅的Ⅲ-Ⅴ族有源器件(特邀)
Ⅲ-Ⅴ Active Devices on Silicon-on-Insulator via Lateral Selective Heteroepitaxy(Invited)作者机构：香港科技大学电子与计算机工程学院中国香港999077
出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)
年 卷 期：2024年第61卷第19期
页 面：74-80页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：大学教育资助委员会(16213420) 香港创新科技基金(ITS/226/21FP)
摘 要：Ⅲ-Ⅴ族有源器件及其与无源器件的高效耦合集成是硅光子技术得以进一步发展的核心。将高性能的Ⅲ-Ⅴ族有源器件通过异质外延集成在硅片上,可以实现晶圆级硅光子集成电路,从而以低成本、高通量、大带宽和大规模集成来充分发挥硅光子的优势。从侧向选区外延硅基Ⅲ-Ⅴ族有源器件方面展开,重点介绍硅基Ⅲ-Ⅴ族激光器和光电探测器的实现及其与硅无源器件的共平面高效光耦合。讨论其无缓冲层、面内结构、横向堆叠有源区等特点,并展望该技术的发展前景。
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