1700V碳化硅MOSFET设计
Design of 1700VSiC MOSFET作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2014年第34卷第6期
页 面：510-513页
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
主 题：4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态
摘 要：设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
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