可调2×2 InGaAs/InAlAs多量子阱多模干涉型耦合器优化设计

作     者：邹晓冬 肖金标 张明德 孙小菡 

作者机构：东南大学电子工程系光子学与光通信研究室南京210096 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室南京210096 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室南京210096 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室南京210096 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2004年第15卷第Z1期

页      面：210-213页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主　　题：耦合器 多模干涉 多量子阱 InGaAs/InAlAs 

摘      要：提出了一种新型的基于InGaAs/InAlAs多量子阱可调2×2多模干涉型耦合器.通过在多模波导中引入三段控制电极,改变其驱动电压,可有效地调节器件两输出通道的输出功率,实现功分比可调,并且增大了器件的制作容差,减少对工艺的完全依赖.利用半矢量变量变换伽辽金法和三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析和优化设计,给出了器件的最佳参数.另外,InGaAs/InAlAs多量子阱在工作波长为1.3(m时,有良好的量子束缚Stark效应(QCSE),大大减小了驱动电压.