氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能(英文)

作     者：裴笑竹 赖宏伟 张永亮 蔡婧 吴强 王喜章 PEI Xiao-Zhu;LAI Hong-Wei;ZHANG Yong-Liang;CAI Jing;WU Qiang;WANG Xi-Zhang

作者机构：介观化学教育部重点实验室 南京大学化学化工学院南京210093 

出 版 物：《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)

年 卷 期：2014年第30卷第7期

页      面：1719-1724页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.21173115) “973”(No.2007CB935503)资助项目 

主　　题：氮化铝 低温生长 化学气相沉积 场发射 纳米锥 

摘      要：考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14．2～20V·μm^-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。