一种采用相位超前校正技术的电压源逆变器单环控制策略

作     者：黄伟煌 胡书举 林资旭 付勋波 许洪华 HUANG Weihuang;HU Shuju;LIN Zixu;FU Xunbo;XU Honghua

作者机构：中国科学院电工研究所北京市海淀区100190 北京科诺伟业科技有限公司北京市海淀区100083 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2013年第33卷第30期

页      面：18-25,5页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金："十二五"国家科技支撑计划重大项目(2012BAA01B00) 国家863高技术基金项目(2011AA050204)~~ 

主　　题：电压源逆变器 单电压环控制 并联谐振控制器 相位超前校正 

摘      要：电压源型逆变器(voltage source inverters,VSI)通常使用电压电流双闭环控制,也有新型的单电压环控制被提出;同时为了抑制低次谐波,一般引入并联的谐振控制器结构。首先从传递函数的角度,详细对比双环和单环控制,得出开关频率较低时,两种控制策略的动态性能差别不大的结论;然后在频域内深入分析现有的并联谐振控制器设计中参数难以整定的原因。在此基础上,提出一种基于相位超前校正技术的单环控制策略,通过改变被控对象的幅相特性,简化了控制器参数的设计过程,并且使得VSI的性能得到提高。理论分析和实验结果证明,新型的单环控制策略在有效抑制低次谐波的同时,也具有较快的响应速度。