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不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响木

Effects of annealing Ar pressures on the sputtered β-FeSi2 film

作     者:曾武贤 谢泉 梁艳 张晋敏 肖清泉 杨吟野 任学勇 

作者机构:贵州大学电子科学与信息技术学院贵州贵阳550025 

出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期:2007年第38卷第A1期

页      面:367-369页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(60566001) 教育部博士点专项科研基金资助项目(20050657003) 教育部留学回国科研基金资助项目(教外司 2005)383 贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目(黔科合人:20050528)贵州省科技厅国际合作资助项目(黔科合G(2005)400102) 贵州省教育厅重点基金资助项目(05JJ002) 

主  题:β-FeSi2 溅射气压 XRD SEM 椭偏光谱 

摘      要:采用磁控溅射方法,在不同的溅射气压(Ar气0.5-3.0Pa)条件下沉积纯金属Fe到Si(100)衬底上,通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h,直接形成了正交的β-FeSi2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、椭偏光谱仪,对不同溅射气压下合成的β-FeSi2薄膜的结晶特性、表面形貌及光学性能进行表征,研究了不同溅射气压对制备β-FeSi2薄膜的影响。结果表明:在1.5Pa时能形成较好的β-FeSi2薄膜,临界溅射气压在2.0Pa附近,当溅射气压低与临界值时,β-FeSi2薄膜的成核密度较高,且成核密度随溅射气压的增大而降低;当溅射气压超过临界值以后,β-FeSi2薄膜的成核密度基本不变;薄膜的折射率n随压强的增大而增大,消光系数k随压强的增大而减小。

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