不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响木
Effects of annealing Ar pressures on the sputtered β-FeSi2 film作者机构:贵州大学电子科学与信息技术学院贵州贵阳550025
出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期:2007年第38卷第A1期
页 面:367-369页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(60566001) 教育部博士点专项科研基金资助项目(20050657003) 教育部留学回国科研基金资助项目(教外司 2005)383 贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目(黔科合人:20050528)贵州省科技厅国际合作资助项目(黔科合G(2005)400102) 贵州省教育厅重点基金资助项目(05JJ002)
摘 要:采用磁控溅射方法,在不同的溅射气压(Ar气0.5-3.0Pa)条件下沉积纯金属Fe到Si(100)衬底上,通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h,直接形成了正交的β-FeSi2薄膜,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、椭偏光谱仪,对不同溅射气压下合成的β-FeSi2薄膜的结晶特性、表面形貌及光学性能进行表征,研究了不同溅射气压对制备β-FeSi2薄膜的影响。结果表明:在1.5Pa时能形成较好的β-FeSi2薄膜,临界溅射气压在2.0Pa附近,当溅射气压低与临界值时,β-FeSi2薄膜的成核密度较高,且成核密度随溅射气压的增大而降低;当溅射气压超过临界值以后,β-FeSi2薄膜的成核密度基本不变;薄膜的折射率n随压强的增大而增大,消光系数k随压强的增大而减小。