VSe_2薄膜的光电性质及背接触特性的研究
Optoelectrical Properties and Back Contact Characteristic of VSe_2 Thin Films作者机构：四川大学材料科学与工程学院成都610064
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2013年第28卷第3期
页 面：312-316页
核心收录：
基 金：国家重点基础研究发展计划(2011CBA007008) 国家自然科学基金(61076058)~~
主 题：背接触 VSe2薄膜 CdTe薄膜太阳电池
摘 要：采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质,用半导体特性测试仪研究了VSe2薄膜的背接触特性。结果表明:VSe2薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相,VSe2薄膜为p型直接禁带跃迁材料,光能隙约2.35 eV。将VSe2作为背接触层应用于CdTe多晶薄膜太阳电池,消除了roll-over现象,有效提高了器件性能。
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