咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >氮气压力对烧结氮化硅性能和显微结构的影响 收藏

氮气压力对烧结氮化硅性能和显微结构的影响

Effects of Nitrogen Pressure on the Properties and Microstructure of Gas Pressure Sintered Si_3N_4

作     者:邬凤英 庄汉锐 马利泰 符锡仁 

作者机构:中国科学院上海硅酸盐研究所 

出 版 物:《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期:1991年第6卷第2期

页      面:160-165页

核心收录:

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

主  题:氮化硅 烧结 氮气 气压烧结 陶瓷 

摘      要:研究了添加 Y_2O_3和 La_2O_3的气压烧结氮化硅陶瓷的性能和显微结构之间的关系,详细探讨了氮气压力对相组成、显微结构和0性能的影响。结果表明,所得氮化硅材料是由长柱状的β-Si_3N_4主晶相和微量的(Y,La)_2O_3(?)Si_2N_2O、2(Y,La)_2O_3 Si_2N_2O、La_5(SiO_4)_3N 和 LaYO_3晶界结晶相构成。在实验的基础上指出,控制烧成的临界状态可能是改善 Si_3N_4材料性能的新途径。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分