PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究

作     者：雷平水 史伟民 郭燕明 邱永华 潘美军 LEI Ping-shui;SHI Wei-min;GUO Yan-ming;QIU Yong-hua;PAN Mei-jun

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海201800 上海大学材料科学与工程学院上海201800 上海大学材料科学与工程学院上海201800 上海大学材料科学与工程学院上海201800 上海大学材料科学与工程学院上海201800 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第Z1期

页      面：390-393页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：上海市教育委员会"材料学"重点学科资助 

主　　题：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 

摘      要：用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).