钒酸钇双折射晶体原料的去水合成

作     者：李敢生 位民 诸月梅 俞振森 滕硕 吴喜泉 

作者机构：中国科学院福建物质结构研究所 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：1997年第26卷第3期

页      面：400-400页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

主　　题：钒酸钇晶体 RAP法 折射晶体 原料 脱水 晶体 

摘      要：钒酸钇（ＹＶＯ４）是一种非常优良的双折射晶体。它不仅具有大的双折射值（０．２１，在１．３４μｍ下），而且易生长出大尺寸、高质量的晶体，同时也易加工镀膜。现今已逐渐取代方解石和金红石，在光纤通讯中作为光隔离器里的偏振楔形物以及在以可见光到红外（５μｍ）的光偏振器和分裂器上应用。从早期生长的ＹＶＯ４晶体透射光谱中发现在２．９μｍ波长附近有一个很宽的吸收峰。这是水和水致杂质（ＯＨ）－吸收所致。这将给在此波段范围内的晶体应用受到了限制。因此防止ＹＶＯ４原料合成及晶体生长过程中的水和水致杂质污染是十分必要的。ＹＶＯ４为金属氧化物，其原料或熔体在高温含水的气氛条件下，会引起高温水解作用生成氢氧作物：ＭＯ＋αＨ２Ｏ→ＭＯ１－α（ＯＨ）２α（１）或表示为：Ｏ２＋Ｈ２Ｏ→２（ＯＨ）－（２）在晶体生长过程中，这些氢氧化物即水致杂质（ＯＨ）－会不断地混入到晶体中引起了污染。因为水是无处不有并难以控制的杂质。因此我们尤其在原料烧结和晶体生长过程中除了尽力改善防水条件，例：原料放在隔离保纯炉内烧结防止潮湿气流入炉中，原料应保存在干燥器中。生长炉内保温材料防湿及炉壁干燥等均会减少（ＯＨ）－对ＹＶＯ４晶体污染但无法根除。防止（ＯＨ）－对?