温度与外磁场对Si均匀掺杂的GaAs量子阱电子态结构的影响
Effect of temperature and external magnetic field on the structure of electronic state of the Si-uniformlly-doped GaAs quantum well作者机构：南京师范大学物理科学与技术学院南京210023
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2014年第63卷第5期
页 面：353-359页
核心收录：
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学]
摘 要：本文在有效质量近似下,通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=273 K,磁感应强度B=25 T,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构.研究了温度与外磁场对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响.发现在给定磁感应强度B=fi0下,随温度升高子带能量单调增加,费米能量单调递减,自洽势的势阱变深变陡,电子密度分布变宽,峰值降低;在给定温度下,随磁感应强度的增加子带能量及费米能量单调递增,自洽势阱变浅变宽,电子密度分布变窄,峰值升高.
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