日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性

作     者：包西昌 李超 张文静 王玲 李向阳 BAO Xi-chang;LI Chao;ZHANG Wen-jing;WANG Ling;LI Xiang-yang

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2010年第39卷第5期

页      面：835-838页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(6070802860807037) 

主　　题：日盲型紫外探测器 AlGaN 响应率 电容特性 

摘      要：对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。