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空穴掺杂超导体的超导电性

Study of the Hole-Doped Superconductivity

作     者:刘芬芬 张勇 张立春 LIU Fen-Fen;ZHANG Yong;ZHANG Li-Chun

作者机构:海军航空工程学院理化实验中心 

出 版 物:《光谱实验室》 (Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory)

年 卷 期:2010年第27卷第1期

页      面:162-164页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 082701[工学-核能科学与工程] 

主  题:空穴掺杂超导体 电子次近邻跃迁 d-波超导序 

摘      要:在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller方法研究了电子次近邻跃迁对空穴掺杂超导体的超导电性的影响。在掺杂浓度小于0.1的欠掺杂区,随着电子次近邻跃迁的增大,超导序参数在欠掺杂区域受到抑制,而在过掺杂区得到加强。

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