激光脉冲法研究多孔SiO_2薄膜的纵向热导率
Thermal Conductivity of Porous SiO_2 Films on Silicon Substrate by Laser Flashing作者机构：西安交通大学西安710049
出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)
年 卷 期：1998年第32卷第9期
页 面：105-108页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家"八六三"高技术新材料领域研究资助!项目 (86 3 715 0 5 0 1 0 3)
摘 要：采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多孔SiO2 薄膜的热导率测试结果表明 :薄膜化有利于降低材料的热导率 ,提高隔热效果 ;随着孔率增大 ,薄膜热导率明显下降 ;溶胶 凝胶法制备的孔率为 4 0 %的SiO2 多孔薄膜的热导率为 0 11W /m·K ,属隔热材料 .
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