考虑非等长应变的磁电层合材料低频磁电响应特性

作     者：代显智 张章 DAI XianZhi;ZHANG Zhang

作者机构：西华师范大学物理与电子信息学院南充637009 

出 版 物：《中国科学：物理学、力学、天文学》 (Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica)

年 卷 期：2014年第44卷第9期

页      面：927-934页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61074177) 四川省教育厅自然科学重点项目(编号:11ZA037) 西华师范大学科研启动基金(编号:11B006)资助项目 

主　　题：压磁 压电层合材料 磁电效应 非等长应变 剪切应力 

摘      要：本文提出了一种考虑非等长应变的磁电层合材料低频磁电响应模型.该模型以剪切应力传递应变为基础,采用应力函数法分析了磁致伸缩层、压电层的应力和应变,利用粘接处的应变相等,求出了开路状态下磁电层合材料L-T模式的低频磁电响应特性.该模型能研究磁致伸缩材料的柔顺系数、压磁系数、层合比、压电材料的机电耦合系数、压电系数等参数对磁电电压系数的影响,并与等效电路法、两种考虑退磁场的等效电路法以及实验结果进行了对比研究.针对Terfenol-D/PZT/Terfenol-D的研究结果表明:理论结果与实验结果误差为5.42%,与其他方法相比,本文的结果与实验结果吻合得更好.