Sb、Ta掺杂对铌酸钾钠性能的影响

作     者：张盼盼 杨秀凡 杨琼 卢松 王先永 

作者机构：安顺学院电子与信息工程学院 

出 版 物：《科技创新与应用》 (Technology Innovation and Application)

年 卷 期：2024年第32期

页      面：47-50页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：2022年国家级大学生创新创业训练计划项目(202210667040) 

主　　题：第一性原理 Sb、Ta掺杂 铌酸钾钠 能带 性质 

摘      要：该文基于密度泛函的第一性原理计算Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的电子结构和光学性质。通过计算发现未掺杂的铌酸钾钠带隙为2.188 eV,Sb掺杂铌酸钾钠带隙变为2.213 eV，而Ta掺杂铌酸钾钠带隙为2.098 eV。通过分析Sb、Ta掺杂铌酸钾钠的态密度发现Sb掺杂后在-10 eV左右出现新的波，位于-5.508～0.496 eV的波主要由Ta的d轨道和K的s轨道杂化而成。Sb、Ta单掺杂与共掺杂铌酸钾钠均使介电函数的实部ε1（ω）分别提高，但函数整体向低能级移动，虚部在0～3.93 eV产生新的峰且向低能级移动。Ta掺杂时能量损失函数峰值提高，Sb掺杂则减少。