数字集成电路电离总剂量辐射效应原位测试系统的研究与实现

作     者：张兴尧 孙静 郭旗 李豫东 荀明珠 文林 ZHANG Xingyao;SUN Jin;GUO Qi;LI Yudong;XUN Mingzhu;WEN Lin

作者机构：中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2024年第44卷第5期

页      面：815-823页

学科分类：082703[工学-核技术及应用] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：中科院西部青年学者项目资助,项目编号2021-XBQNXZ-022 国家自然科学基金资助,项目编号11975305 特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目资助21kftk03 

主　　题：X射线 辐射效应 原位测试 NAND Flash存储器 

摘      要：电离总剂量效应将会导致数字集成电路电参数超差,甚至功能失效。目前数字集成电路的电离总剂量效应试验主要采用移位测试,移位测试需要一定时间将器件移动到测试机上进行测试,移动耗费的时间将导致器件有不同程度的退火,同时只有在移位测试过程中才能获得辐射效应数据,相较于在线原位测试数据量较少。数字集成电路测试系统采用PXI系统,系统内装配数字向量测试模块和电源量测模块,同时编写了测试软件和制作了测试板。通过对一款NAND Flash存储器进行在线原位辐照测试,测试结果满足对数字集成电路在X射线辐照过程中的DC、AC及功能测试要求。系统的装备应用为未来应用到各种加速器或其他辐射源的数字集成电路的在线测试奠定了基础。