EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型

作     者：张海鹏 魏同立 冯耀兰 汪沁 张正璠 Zhang Haipeng;Wei Tongli;Feng Yaolan;Wang Qin;Zhang Zhengfan

作者机构：杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 东南大学微电子中心南京210096 东南大学微电子中心南京210096 浙江万里学院计算机科学与信息技术学院宁波315100 中国电子信息产业集团公司第24研究所重庆400060 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第Z1期

页      面：36-39页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:69736020 60306003) Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 69736020 60306003) 

主　　题：绝缘层上硅 CMOS 高温 模型 下降时间 

摘      要：详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,非常适合于高温应用.如果对其进行优化设计,有利于改善其上升-下降时间温度特性的对称性,提高其最高工作频率.