GexAsySe1-x-y硫系玻璃薄膜拉曼光谱分析
Structural Analysis of Ge_xAs_ySe_(1-x-y) Chalcogenide Glass Thin-Films by Raman Spectroscopy作者机构:北京工业大学应用数理学院北京100124
出 版 物:《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)
年 卷 期:2016年第53卷第2期
页 面:250-255页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:国家自然科学基金(11474014) 北京市教育委员会科技计划重点项目(Kz2011100050010)
主 题:薄膜 Ge—As—Se硫系玻璃 分峰拟合 拉曼光谱 化学结构
摘 要:采用热蒸镀法,在石英基底上制备了不同化学组分的GexAsySe1-x-y硫系玻璃薄膜,并对其拉曼光谱进行测量,旨在分析化学组分对薄膜内部结构的影响。分析了波数位于100—350cm。范围内薄膜拉曼光谱的演变,用高斯曲线对拉曼光谱进行分峰拟合。结果表明,样品在190cm-1处Ge-Se振动模式随着Ge和As含量的增加而变强;随着平均配位数(McN)的增加,As-Se振动模式减弱,位于225cm-1和250cm-1处的两个拉曼峰逐渐合并,并向高波数区域延伸;在Ge含量高的样品中,170—180cm-1处的拉曼峰是由薄膜内部键缺陷造成的。