高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用

作     者：晁拴社 林欣毅 何潇 梅娜 杨丹 王梦华 欧阳可青 Chao Shuanshe;Lin Xinyi;He Xiao;Mei Na;Yang Dan;Wang Menghua;Ouyang Keqing

作者机构：移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室广东深圳518055 深圳市中兴微电子技术有限公司广东深圳518055 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2024年第49卷第10期

页      面：934-939页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：带电器件模型(CDM) 先进制程 高阶显微分析技术 泄放路径 失效形貌 

摘      要：带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题,确定了CDM泄放路径与失效形貌,并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题,有助于优化ESD防护电路,提高芯片可靠性。