二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究
Electronic properties of the heterostructure based on 2Dγ-GeSe作者机构：郑州轻工业大学电子信息学院河南省磁电信息功能材料实验室郑州450002
出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)
年 卷 期：2025年第42卷第5期
页 面：175-181页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：二维γ-GeSe 范德瓦尔斯异质结 电子特性 能带排列
摘 要：二维γ-GeSe拥有类似石墨烯的优异导电特性.利用第一性原理,对二维γ-GeSe的结构和电子特性进行了研究;构建了γ-GeSe/SnSe 2异质结,结果表明该异质结是典型的Ⅱ型能带排列.在施加电场后,其带隙值会有明显的增大,但其能带排列类型保持稳定的Ⅱ型能带排列,这种特性表明此异质结具有在太阳能电池领域应用的潜力.构建的γ-GeSe/GaSe异质结具有典型的Ⅰ型能带排列,施加电场对异质结的电子结构影响甚微;但能一直保持稳定的Ⅰ型能带排列,表明该异质结在发光二极管领域和激光器中具有应用潜力.
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