二维γ-GeSe基异质结的电子特性研究
作者机构：郑州轻工业大学电子信息学院河南省磁电信息功能材料实验室
出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)
年 卷 期：2025年第5期
页 面：181-187页
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
主 题：二维γ-GeSe 范德瓦尔斯异质结 电子特性 能带排列
摘 要：二维γ-GeSe拥有类似石墨烯的优异导电特性．利用第一性原理，对二维γ-GeSe的结构和电子特性进行了研究；构建了γ-GeSe/SnSe2异质结，结果表明该异质结是典型的Ⅱ型能带排列．在施加电场后，其带隙值会有明显的增大，但其能带排列类型保持稳定的Ⅱ型能带排列，这种特性表明此异质结具有在太阳能电池领域应用的潜力．构建的γ-GeSe/GaSe异质结具有典型的Ⅰ型能带排列，施加电场对异质结的电子结构影响甚微；但能一直保持稳定的Ⅰ型能带排列，表明该异质结在发光二极管领域和激光器中具有应用潜力．
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