连续激光辐照GaAs材料损伤的数值模拟计算

作     者：李娟 孙文军 孙京南 赵立萍 李孟洋 支洪武 LI Juan;SUN Wen-jun;SUN Jing-nan;ZHAO Li-ping;LI Meng-yang;ZHI Hong-wu

作者机构：哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室 黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室 物理与电子工程学院哈尔滨150025 牡丹江师范学院物理系黑龙江牡丹江157012 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2012年第41卷第5期

页      面：571-574页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：黑龙江省青年基金(No.QC06C043) 哈尔滨青年基金(No.2006RFQXG055 No.08XYS-01) 黑龙江省教育厅骨干教师项目(No.1251G031) 哈师大预研项目(No.08XYS-01) 黑龙江省研究生创新科研资金项目(No.YJSCX2011-414HLJ)资助 

主　　题：激光辐照效应 高斯光束 温度场 损伤阈值 

摘      要：基于热传导理论,构建了高斯分布的连续激光辐照GaAs材料的二维轴对称非稳态物理模型,且利用多物理场直接耦合分析软件COMSOL Multiphysics求解热传导方程得到了材料表面温度分布曲线以及光斑中心处温度沿厚度方向分布曲线,并得出GaAs材料的分解损伤时间与入射光功率密度的关系曲线.研究表明,在连续激光辐照下,GaAs材料可能会发生分解损伤,激光功率越高,材料被破坏所需的时间越短.理论计算结果与相关的实验结论一致,说明所建立的激光辐照效应模型具有科学性.