Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响

作     者：王玉婵 康杰虎 王玉菡 WANG Yuchan;KANG Jiehu;WANG Yuhan

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 重庆交通大学机电与车辆工程学院重庆400074 重庆理工大学电子信息与自动化学院重庆400050 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2016年第35卷第1期

页      面：61-63页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(No.2013CBA01900 No.2010CB934300 No.2011CBA00607 No.2011CB9328004) 国家集成电路重大专项(No.2009ZX02023-003) 国家自然科学基金(No.61176122 No.61106001 No.61261160500 No.61376006) 重庆理工大学星火计划项目(No.2014XH10) 重庆邮电大学博士启动基金项目(No.A2015-38) 

主　　题：相变存储器 Ge2Sb2Te5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相 

摘      要：相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。