彩色CRT荫罩热变形分析与束着屏漂移预测
出 版 物：《彩色显像管》
年 卷 期：1999年第4期
页 面：44-49页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：阴极射线管中荧光屏上电子束着屏漂移是由荫框架组件热变形引起的，从而使色纯变坏。本文使用有限元法（ＦＥＭ）分析了荫罩框架组件的热变形，预测了束着屏漂移。为了真实地分析，计算了表面热传导率和表面弹性系数，并将荫罩模拟成一个无孔的薄板。模拟了ＣＲＴ内所有的零件并考虑了每个零件的辐射效应。然后对荫罩框架组件瞬间的热弹性变形进行有限元分析，计算了束着屏偏移。４３ｃｍＣＲＴ的实验使有限元分析法有充足的根据。测量了ＣＲＴ内各个零件的温度和屏上着屏漂移，通过将测得的结果与有限元分析所得结果进行比较，对这些结果进行了讨论。通过研究我们知道这种分析方法可用来设计ＣＲＴ荫罩组件，将着屏漂移降到几微米级。
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