电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究

作     者：吕文辉 宋航 金亿鑫 赵辉 赵海峰 李志明 蒋红 缪国庆 刘乃康 Lu Wenhui;Song Hang;Jin Yixin;Zhao Hui;Zhao Haifeng;Li Zhiming;Jiang Hong;Miao Guoqing;Liu Naikang

作者机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2007年第27卷第3期

页      面：213-217页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家973计划资助(No.2003CB314702) 国家自然科学基金资助项目(No.60571004No.90406024) 

主　　题：碳纳米管 场发射阴极 电泳淀积 电场激活 物理机制 

摘      要：基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极。用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制。研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数。电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2。该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器。